창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NIS5131E2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NIS5131E2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NIS5131E2 | |
관련 링크 | NIS51, NIS5131E2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
C0402C271K5GACTU | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C271K5GACTU.pdf | ||
GRM3196R1H431JZ01D | 430pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3196R1H431JZ01D.pdf | ||
MKP1848560924P2 | 6µF Film Capacitor 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) | MKP1848560924P2.pdf | ||
SRN3010-2R2M | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 96 mOhm Max Nonstandard | SRN3010-2R2M.pdf | ||
32MBSDRAM | 32MBSDRAM Advantage SOP | 32MBSDRAM.pdf | ||
IWS0798764 | IWS0798764 ORIGINAL SMD or Through Hole | IWS0798764.pdf | ||
RH50-180 | RH50-180 ORIGINAL SMD or Through Hole | RH50-180.pdf | ||
AP130-30R | AP130-30R DIODES SOT-23 | AP130-30R.pdf | ||
M36LOR8060B1ZAQ | M36LOR8060B1ZAQ ST BGA | M36LOR8060B1ZAQ.pdf | ||
JTM-26CM | JTM-26CM TELEDYNE CAN8 | JTM-26CM.pdf | ||
AC7C256-12TC | AC7C256-12TC ORIGINAL SMD or Through Hole | AC7C256-12TC.pdf | ||
RJP3066 | RJP3066 RENESAS TO-3P | RJP3066.pdf |