창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NGTG35N65FL2WG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NGTG35N65FL2WG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | Field stop | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 70A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 스위칭 에너지 | 840µJ(켜기), 280µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 125nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 72ns/132ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 35A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | NGTG35N65FL2WGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NGTG35N65FL2WG | |
| 관련 링크 | NGTG35N6, NGTG35N65FL2WG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | JMK105BJ225MVHF | 2.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | JMK105BJ225MVHF.pdf | |
![]() | ECS-60-20-5PX-TR | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 70옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-60-20-5PX-TR.pdf | |
![]() | RCS040245K3FKED | RES SMD 45.3K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040245K3FKED.pdf | |
![]() | 0603J 8R2 | 0603J 8R2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603J 8R2.pdf | |
![]() | TLP542GB | TLP542GB TOSHIBA DIP-7 | TLP542GB.pdf | |
![]() | 74LS285 | 74LS285 ST DIP | 74LS285.pdf | |
![]() | 51731S | 51731S EL SOP-8 | 51731S.pdf | |
![]() | BC807-40W/5Cp | BC807-40W/5Cp AD SOT323 | BC807-40W/5Cp.pdf | |
![]() | EPM10K10ATC144-1 | EPM10K10ATC144-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM10K10ATC144-1.pdf | |
![]() | SN75467N. | SN75467N. TI DIP16 | SN75467N..pdf | |
![]() | 2010F 1R30 | 2010F 1R30 ORIGINAL 2010 | 2010F 1R30.pdf | |
![]() | NCV8184DR | NCV8184DR ON SOP8 | NCV8184DR.pdf |