창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NGTB75N60SWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NGTB75N60SWG | |
| PCN 설계/사양 | FPCN20461X27/nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 200A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A | |
| 전력 - 최대 | 595W | |
| 스위칭 에너지 | 1.5mJ(켜기), 1mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 310nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 110ns/270ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 75A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 80ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | NGTB75N60SWGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NGTB75N60SWG | |
| 관련 링크 | NGTB75N, NGTB75N60SWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| LNC2V682MSEG | 6800µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C | LNC2V682MSEG.pdf | ||
![]() | 416F40613CTT | 40.61MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40613CTT.pdf | |
| IKCM10L60HAXKMA1 | IFPS MODULES 24MDIP | IKCM10L60HAXKMA1.pdf | ||
![]() | 2000-6R8-H-RC | 6.8µH Unshielded Toroidal Inductor 7.2A 13 mOhm Max Radial | 2000-6R8-H-RC.pdf | |
![]() | SP1008-332H | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 465mA 527 mOhm Max Nonstandard | SP1008-332H.pdf | |
![]() | D27C210 | D27C210 INTEL DIP | D27C210.pdf | |
![]() | 1853-0205 | 1853-0205 MOT CAN3 | 1853-0205.pdf | |
![]() | GM814X | GM814X GM DIP | GM814X.pdf | |
![]() | DF12C-32DS-0.5V(81) | DF12C-32DS-0.5V(81) Hirose SMD or Through Hole | DF12C-32DS-0.5V(81).pdf | |
![]() | M5218P-770 | M5218P-770 MIT DIP | M5218P-770.pdf | |
![]() | PVM4A201C01 | PVM4A201C01 MURATA SMD or Through Hole | PVM4A201C01.pdf | |
![]() | GS2LC106J | GS2LC106J N/A SMD or Through Hole | GS2LC106J.pdf |