창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NGTB40N120SWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NGTB40N120SWG | |
PCN 설계/사양 | FPCN20461X27/nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Site Addition 09/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 200A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A | |
전력 - 최대 | 535W | |
스위칭 에너지 | 3.4mJ(켜기), 1.1mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 313nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 116ns/286ns | |
테스트 조건 | 600V, 40A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 240ns | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | NGTB40N120SWGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NGTB40N120SWG | |
관련 링크 | NGTB40N, NGTB40N120SWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 0279.005V | FUSE BRD MNT 5MA 125VAC/VDC RAD | 0279.005V.pdf | |
![]() | CA-301 18.4320M-C:PBFREE | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | CA-301 18.4320M-C:PBFREE.pdf | |
![]() | RG3216N-3832-B-T5 | RES SMD 38.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-3832-B-T5.pdf | |
![]() | ACS723LLCTR-10AU-T | Current Sensor 10A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Unidirectional 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ACS723LLCTR-10AU-T.pdf | |
![]() | 2SC2932 | 2SC2932 MITSUBISH T-31B | 2SC2932.pdf | |
![]() | ICS342M16LF | ICS342M16LF ICS SOP-8 | ICS342M16LF.pdf | |
![]() | MD2100E | MD2100E MDV SMD or Through Hole | MD2100E.pdf | |
![]() | TC575502ECTTR | TC575502ECTTR Microchip SOT-23-5 | TC575502ECTTR.pdf | |
![]() | 194D225X0035B2T | 194D225X0035B2T VISHAY/SPRAGUE D | 194D225X0035B2T.pdf | |
![]() | P190LV027AWE | P190LV027AWE FERICOM SOP8 | P190LV027AWE.pdf | |
![]() | THS3062DGNG4 | THS3062DGNG4 ORIGINAL TI | THS3062DGNG4.pdf | |
![]() | MM1027NVF | MM1027NVF MIT SSOP | MM1027NVF.pdf |