창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NGB8206ANTF4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NGB8206N,AN | |
PCN 조립/원산지 | Metal Capacity Expansion 13/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 390V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 50A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A | |
전력 - 최대 | 150W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 논리 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | -/5µs | |
테스트 조건 | 300V, 9A, 1k옴, 5V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 700 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NGB8206ANTF4G | |
관련 링크 | NGB8206, NGB8206ANTF4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA8M2C0G1H104J200KA | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8M2C0G1H104J200KA.pdf | |
![]() | VJ0402D8R2BXAAJ | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D8R2BXAAJ.pdf | |
![]() | VS-80APF10PBF | DIODE FAST REC 80A TO-247 | VS-80APF10PBF.pdf | |
![]() | R0402TF51K | R0402TF51K ORIGINAL RALEC | R0402TF51K.pdf | |
![]() | 10KV332M | 10KV332M STTH SMD or Through Hole | 10KV332M.pdf | |
![]() | D226B | D226B NEC TO-66 | D226B.pdf | |
![]() | PM29W128GH70N6E | PM29W128GH70N6E NMX-EBGST SMD or Through Hole | PM29W128GH70N6E.pdf | |
![]() | AM-66475 | AM-66475 NS SOIC-8 | AM-66475.pdf | |
![]() | JC557B-TR | JC557B-TR PHI SMD or Through Hole | JC557B-TR.pdf | |
![]() | 60R099CPA | 60R099CPA INFINEON TO-262 | 60R099CPA.pdf | |
![]() | FEM7018806T2305 | FEM7018806T2305 ORIGINAL SMD or Through Hole | FEM7018806T2305.pdf | |
![]() | XC4VLX200-10FF1513 | XC4VLX200-10FF1513 XILINX BGA | XC4VLX200-10FF1513.pdf |