창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NGB8202ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NGB8202N,AN | |
PCN 조립/원산지 | Metal Capacity Expansion 13/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 440V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 50A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A | |
전력 - 최대 | 150W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 논리 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | -/5µs | |
테스트 조건 | 300V, 9A, 1k옴, 5V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NGB8202ANT4G | |
관련 링크 | NGB8202, NGB8202ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
ABM81-30.000MHZ-B4Y-T3 | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM81-30.000MHZ-B4Y-T3.pdf | ||
LQH32MN560J23L | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 85mA 4.9 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32MN560J23L.pdf | ||
850F1K0E | RES CHAS MNT 1K OHM 1% 50W | 850F1K0E.pdf | ||
CS8221YDP3G | CS8221YDP3G ON TO-263 | CS8221YDP3G.pdf | ||
EPF8636AQC208-2/4 | EPF8636AQC208-2/4 ALTERA QFP | EPF8636AQC208-2/4.pdf | ||
P3200T70V1 | P3200T70V1 ORIGINAL QFP | P3200T70V1.pdf | ||
ISPLSI1024-60J | ISPLSI1024-60J LATTICE PLCC | ISPLSI1024-60J.pdf | ||
MCR3935-1 | MCR3935-1 MOTOROLA STUD | MCR3935-1.pdf | ||
CMC-CODE-NL | CMC-CODE-NL ST SMD or Through Hole | CMC-CODE-NL.pdf | ||
1812-845K | 1812-845K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-845K.pdf | ||
LT1218CS8#TR | LT1218CS8#TR LT SOP-8 | LT1218CS8#TR.pdf | ||
EEFUD0D391ER | EEFUD0D391ER PANASONIC SMD or Through Hole | EEFUD0D391ER.pdf |