창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NFE61HT102F2A9 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NFE61HT102F2A9 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NFE61HT102F2A9 | |
| 관련 링크 | NFE61HT1, NFE61HT102F2A9 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 1N4757CPE3/TR8 | DIODE ZENER 51V 1W DO204AL | 1N4757CPE3/TR8.pdf | |
![]() | SP1008-153K | 15µH Shielded Wirewound Inductor 232mA 2.1 Ohm Max Nonstandard | SP1008-153K.pdf | |
![]() | MBB02070C2032DC100 | RES 20.3K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C2032DC100.pdf | |
![]() | IR125N | IR125N IR MSOP8 | IR125N.pdf | |
![]() | UPD65840GJ-029-JEU | UPD65840GJ-029-JEU NEC SMD or Through Hole | UPD65840GJ-029-JEU.pdf | |
![]() | KS57C2616-QN | KS57C2616-QN SAMSUNG QFP | KS57C2616-QN.pdf | |
![]() | 35CE4700AX | 35CE4700AX SANYO SMD | 35CE4700AX.pdf | |
![]() | FM08A32V15AT (1138) | FM08A32V15AT (1138) BUSSMANN SMD or Through Hole | FM08A32V15AT (1138).pdf | |
![]() | NIPD4 | NIPD4 DELCO LQFP | NIPD4.pdf | |
![]() | IXGA150N30TC | IXGA150N30TC IXYS TO-263 | IXGA150N30TC.pdf | |
![]() | PHB11N06LTG | PHB11N06LTG PHILIPS TO263 | PHB11N06LTG.pdf | |
![]() | 5535664-2 | 5535664-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 5535664-2.pdf |