창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NEO-4S-0-000-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NEO-4S-0-000-2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NEO-4S-0-000-2 | |
관련 링크 | NEO-4S-0, NEO-4S-0-000-2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D110GXCAJ | 11pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110GXCAJ.pdf | |
![]() | AQ147M0R3BAJME\500 | 0.30pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M0R3BAJME\500.pdf | |
![]() | GRM1886S1H121JZ01D | 120pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886S1H121JZ01D.pdf | |
![]() | ES3DHE3_A/H | DIODE UFAST 200V 3A DO214AB | ES3DHE3_A/H.pdf | |
![]() | FDB13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB | FDB13AN06A0.pdf | |
![]() | IXXK100N60B3H1 | IGBT 600V 200A 695W TO264 | IXXK100N60B3H1.pdf | |
![]() | WSL2512R0120FEA18 | RES SMD 0.012 OHM 1% 2W 2512 | WSL2512R0120FEA18.pdf | |
![]() | AP8958 | AP8958 APEC SOP-8 | AP8958.pdf | |
![]() | T7L13TB-0101 | T7L13TB-0101 TOSHIBA SMD or Through Hole | T7L13TB-0101.pdf | |
![]() | 0805HS-181UJBC | 0805HS-181UJBC COILCIAFT 0805-181 | 0805HS-181UJBC.pdf | |
![]() | MC9S12D96VFU | MC9S12D96VFU NA QFP | MC9S12D96VFU.pdf |