CEL NE856M02-T1-AZ

NE856M02-T1-AZ
제조업체 부품 번호
NE856M02-T1-AZ
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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내부 부품 번호EIS-NE856M02-T1-AZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NE856M02
PCN 조립/원산지Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체CEL
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)12V
주파수 - 트랜지션6.5GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.1dB @ 1GHz
이득12dB
전력 - 최대1.2W
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지SOT-89
표준 포장 1,000
다른 이름NE856M02-T1-AZ-ND
NE856M02-T1-AZTR
NE856M02T1AZ
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NE856M02-T1-AZ
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