창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE856M02-AZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE856M02 RF Wireless Brochure | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
주파수 - 트랜지션 | 6.5GHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.1dB @ 1GHz | |
이득 | 12dB | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE856M02-AZ | |
관련 링크 | NE856M, NE856M02-AZ 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
GRM1555C1E102JA01J | 1000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E102JA01J.pdf | ||
08055C333MAT2A | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C333MAT2A.pdf | ||
TBU-CA065-100-WH | SURGE SUPP TBU 100MA 650VIMP SMD | TBU-CA065-100-WH.pdf | ||
MHQ1005P2N8STD25 | 2.8nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 80 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P2N8STD25.pdf | ||
CSC06A03330RGPA | RES ARRAY 3 RES 330 OHM 6SIP | CSC06A03330RGPA.pdf | ||
ICS8725BY-01T | ICS8725BY-01T ORIGINAL NA | ICS8725BY-01T.pdf | ||
MB89935BPFV-G-142-BND-ER | MB89935BPFV-G-142-BND-ER FUJITSU sop | MB89935BPFV-G-142-BND-ER.pdf | ||
LGM61B-140E-068 | LGM61B-140E-068 ORIGINAL SMD or Through Hole | LGM61B-140E-068.pdf | ||
SPXO018044-LF | SPXO018044-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | SPXO018044-LF.pdf | ||
N2TU51216AF-3C | N2TU51216AF-3C ELIXIR BGA | N2TU51216AF-3C.pdf | ||
UPD411D | UPD411D NEC CDIP | UPD411D.pdf | ||
UPD45128441G5-A10 | UPD45128441G5-A10 NEC SMD or Through Hole | UPD45128441G5-A10.pdf |