창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE85633-T1B-R23-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE85633, 2SC3356 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
주파수 - 트랜지션 | 7GHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.1dB @ 1GHz | |
이득 | 11.5dB | |
전력 - 최대 | 200mW | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE85633-T1B-R23-A | |
관련 링크 | NE85633-T1, NE85633-T1B-R23-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
ALD810017SCL | MOSFET QUAD SAB 1.70V EE 16SOIC | ALD810017SCL.pdf | ||
ERJ-B2AJ360V | RES SMD 36 OHM 3/4W 1206 WIDE | ERJ-B2AJ360V.pdf | ||
SMDA05CM | SMDA05CM SEMTECH SOT23 | SMDA05CM.pdf | ||
EM6353BY1SP3B2.9 | EM6353BY1SP3B2.9 UNK RES | EM6353BY1SP3B2.9.pdf | ||
R5F562N8BDFP | R5F562N8BDFP Renesas SMD or Through Hole | R5F562N8BDFP.pdf | ||
MIC426CPA | MIC426CPA MIC DIP | MIC426CPA.pdf | ||
LC6255-4F04 | LC6255-4F04 SANYO DIP-30 | LC6255-4F04.pdf | ||
CY8C24233A-24PVXI | CY8C24233A-24PVXI CY SSOP20 | CY8C24233A-24PVXI.pdf | ||
K9F2G08UOB-PCB0 | K9F2G08UOB-PCB0 SAMSUNG TSOP | K9F2G08UOB-PCB0.pdf | ||
DL6241 | DL6241 ORIGINAL DIP | DL6241.pdf | ||
H11A53SD | H11A53SD Fairchi SMD or Through Hole | H11A53SD.pdf |