CEL NE85633-T1B-A
- 제조업체 부품 번호
- NE85633-T1B-A
- 제조업 자
- CEL
- 제품 카테고리
- RF 트랜지스터(BJT)
- 간단한 설명
- RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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NE85633-T1B-A 가격 및 조달
가능 수량
11550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 504.09216
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NE85633-T1B-A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NE85633-T1B-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE85633, 2SC3356 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 540 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 7GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.1dB @ 1GHz | |
| 이득 | 11.5dB | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SC3356-T1B NE85633B-ATR NE85633T1BA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE85633-T1B-A | |
| 관련 링크 | NE85633, NE85633-T1B-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
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