홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » NE85630-T1-R24-A

CEL NE85630-T1-R24-A

NE85630-T1-R24-A
제조업체 부품 번호
NE85630-T1-R24-A
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
RF TRANSISTOR NPN SOT-323
데이터 시트 다운로드
다운로드
NE85630-T1-R24-A 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 639.99933
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NE85630-T1-R24-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE85630-T1-R24-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE85630-T1-R24-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NE85630-T1-R24-A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NE85630-T1-R24-A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NE85630-T1-R24-A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NE85630, 2SC4226
PCN 조립/원산지Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체CEL
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)12V
주파수 - 트랜지션4.5GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.2dB @ 1GHz
이득9dB
전력 - 최대150mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce70 @ 7mA, 3V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NE85630-T1-R24-A
관련 링크NE85630-T, NE85630-T1-R24-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통
NE85630-T1-R24-A 의 관련 제품
330pF 100V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) D331K20Y5PH6TL2R.pdf
1µF Film Capacitor 220V Paper, Metallized Radial 1.201" L x 0.602" W (30.50mm x 15.30mm) PME261KE7100KR30.pdf
5100pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) MKP385251100JDA2B0.pdf
TVS DIODE 12VWM 25VC SOD523 SZESD5Z12T1G.pdf
RES SMD 47K OHM 5% 1/8W 0805 KTR10EZPJ473.pdf
AD7777AR-REEL AD SOP AD7777AR-REEL.pdf
KHS-17D11-48 TYCO SMD or Through Hole KHS-17D11-48.pdf
ADS7835E/2K5 TI MSOP8 ADS7835E/2K5.pdf
5*7 16MHZ HKY SMD or Through Hole 5*7 16MHZ.pdf
KE-03707-1 KDO SMD or Through Hole KE-03707-1.pdf
6433308RL64E MIT QFP 6433308RL64E.pdf