홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » NE68133-T1B-R35-A

CEL NE68133-T1B-R35-A

NE68133-T1B-R35-A
제조업체 부품 번호
NE68133-T1B-R35-A
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
데이터 시트 다운로드
다운로드
NE68133-T1B-R35-A 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 743.78300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NE68133-T1B-R35-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE68133-T1B-R35-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE68133-T1B-R35-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NE68133-T1B-R35-A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NE68133-T1B-R35-A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NE68133-T1B-R35-A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RF Wireless Brochure
NE68133,2SC3583
PCN 조립/원산지Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체CEL
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)10V
주파수 - 트랜지션9GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.2dB @ 1GHz
이득13dB
전력 - 최대200mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce125 @ 20mA, 8V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)65mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NE68133-T1B-R35-A
관련 링크NE68133-T1, NE68133-T1B-R35-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통
NE68133-T1B-R35-A 의 관련 제품
FUSE CERAMIC 630MA 250VAC 5X20MM 19406300001.pdf
RES SMD 63.4KOHM 0.1% 1/16W 0402 RT0402BRD0763K4L.pdf
RES SMD 169K OHM 0.1% 1/8W 0805 CRT0805-BY-1693ELF.pdf
RES 33 OHM 2W 5% AXIAL RSF200JB-73-33R.pdf
HA75147-2 ORIGINAL CDIP8 HA75147-2.pdf
MAX167BEWG MAXIM SMD or Through Hole MAX167BEWG.pdf
PT7M7479HBTA Pericom SMD or Through Hole PT7M7479HBTA.pdf
1N6510JANTX MICROSEMI SMD or Through Hole 1N6510JANTX.pdf
UMD05S05 N/A DIP UMD05S05.pdf
ELT3KN007CN PANASONIC SMD or Through Hole ELT3KN007CN.pdf
1N4704TA TCKELCJTCON DO-35 1N4704TA.pdf