창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE5550979A-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE5550979A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 900MHz | |
이득 | 22dB | |
전압 - 테스트 | 7.5V | |
정격 전류 | 3A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 200mA | |
전력 - 출력 | 38.6dBm | |
전압 - 정격 | 30V | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 79A | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | NE5550979AA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE5550979A-A | |
관련 링크 | NE55509, NE5550979A-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
![]() | K562J20C0GH5UH5 | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K562J20C0GH5UH5.pdf | |
![]() | YC164-FR-0721KL | RES ARRAY 4 RES 21K OHM 1206 | YC164-FR-0721KL.pdf | |
![]() | 3362S200R | 3362S200R BOURNG SMD or Through Hole | 3362S200R.pdf | |
![]() | TLV320AiC33iRGZT | TLV320AiC33iRGZT Ti QFN-48 | TLV320AiC33iRGZT.pdf | |
![]() | HA2-5135-8 | HA2-5135-8 HARRIS CAN | HA2-5135-8.pdf | |
![]() | RSB3VP211202 | RSB3VP211202 Tyco con | RSB3VP211202.pdf | |
![]() | RWR80S10R0FRJ | RWR80S10R0FRJ VISHAY DIP | RWR80S10R0FRJ.pdf | |
![]() | 2SD2098/TQ | 2SD2098/TQ CHANGHAO SMD or Through Hole | 2SD2098/TQ.pdf | |
![]() | HS1-3282-8* | HS1-3282-8* INTERSIL CDIP40 | HS1-3282-8*.pdf | |
![]() | LQN21AR10J04M00-03/ | LQN21AR10J04M00-03/ MURATA 0805-100N | LQN21AR10J04M00-03/.pdf | |
![]() | DF12D(5.0)-60DP-0.5V | DF12D(5.0)-60DP-0.5V Hirose SMD | DF12D(5.0)-60DP-0.5V.pdf | |
![]() | IKD15N60R | IKD15N60R InfineonTechnolog SMD or Through Hole | IKD15N60R.pdf |