창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE5550779A-T1-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE5550779A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 900MHz | |
이득 | 22dB | |
전압 - 테스트 | 7.5V | |
정격 전류 | 2.1A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 140mA | |
전력 - 출력 | 38.5dBm | |
전압 - 정격 | 30V | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 79A | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE5550779A-T1-A | |
관련 링크 | NE5550779, NE5550779A-T1-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
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![]() | GNH550A-998A | GNH550A-998A GENERALPL SMD or Through Hole | GNH550A-998A.pdf | |
![]() | BAR66 E-6327 | BAR66 E-6327 INFINEON SOT23 | BAR66 E-6327.pdf | |
![]() | MNR18E0APJ823 | MNR18E0APJ823 ROHM SMD or Through Hole | MNR18E0APJ823.pdf |