창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE5550779A-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE5550779A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 900MHz | |
| 이득 | 22dB | |
| 전압 - 테스트 | 7.5V | |
| 정격 전류 | 2.1A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 140mA | |
| 전력 - 출력 | 38.5dBm | |
| 전압 - 정격 | 30V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 79A | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE5550779A-A | |
| 관련 링크 | NE55507, NE5550779A-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
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![]() | IDT7105S20J. | IDT7105S20J. IDT SMD or Through Hole | IDT7105S20J..pdf | |
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![]() | PIC30F3013-20E/SP | PIC30F3013-20E/SP MICROCHIP DIP28 | PIC30F3013-20E/SP.pdf | |
![]() | DFDG6342L | DFDG6342L ORIGINAL SMD or Through Hole | DFDG6342L.pdf | |
![]() | 64F2328VF25V | 64F2328VF25V HITACHI QFP | 64F2328VF25V.pdf | |
![]() | 82S181A/CJA | 82S181A/CJA PHI DIP | 82S181A/CJA.pdf |