CEL NE5550779A-A
NE5550779A-A 가격 및 조달
가능 수량
9109 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,579.14400
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NE5550779A-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE5550779A-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE5550779A-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NE5550779A-A 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NE5550779A-A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NE5550779A-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE5550779A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 900MHz | |
| 이득 | 22dB | |
| 전압 - 테스트 | 7.5V | |
| 정격 전류 | 2.1A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 140mA | |
| 전력 - 출력 | 38.5dBm | |
| 전압 - 정격 | 30V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 79A | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE5550779A-A | |
| 관련 링크 | NE55507, NE5550779A-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
NE5550779A-A 의 관련 제품
 | AZ23C27-G3-18 | DIODE ZENER 27V 300MW SOT23 | AZ23C27-G3-18.pdf | |
.jpg) | RT0805BRE07169KL | RES SMD 169K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07169KL.pdf | |
 | TUM3J7K5E | RES 7.5K OHM 3W 5% AXIAL | TUM3J7K5E.pdf | |
| TLC2652C-8D | TLC2652C-8D TI SOP8 | TLC2652C-8D.pdf | |
| EP2SGX90FF1508C5ES | EP2SGX90FF1508C5ES ALTERA SMD or Through Hole | EP2SGX90FF1508C5ES.pdf | |
| 550992U075AC2B | 550992U075AC2B CDE DIP | 550992U075AC2B.pdf | |
| EDE5116AHBG-6E-E | EDE5116AHBG-6E-E ELPIDA BGA | EDE5116AHBG-6E-E.pdf | |
| EL-IR26-21C/L110/TR8 | EL-IR26-21C/L110/TR8 Everlight SMD or Through Hole | EL-IR26-21C/L110/TR8.pdf | |
| 16CV330BS | 16CV330BS SANYO SMD or Through Hole | 16CV330BS.pdf | |
| E8NH3L | E8NH3L ST QFN | E8NH3L.pdf | |
| SR6D4005 | SR6D4005 ORIGINAL DIP | SR6D4005.pdf | |
| MDP14-03-122G | MDP14-03-122G MDP SMD or Through Hole | MDP14-03-122G.pdf |