CEL NE3516S02-T1C-A
NE3516S02-T1C-A 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,284.32300
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NE3516S02-T1C-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE3516S02-T1C-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE3516S02-T1C-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NE3516S02-T1C-A 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NE3516S02-T1C-A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NE3516S02-T1C-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE3516S02 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | N채널 GaAs HJ-FET | |
| 주파수 | 12GHz | |
| 이득 | 14dB | |
| 전압 - 테스트 | 2V | |
| 정격 전류 | 60mA | |
| 잡음 지수 | 0.35dB | |
| 전류 - 테스트 | 10mA | |
| 전력 - 출력 | 165mW | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | S02 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE3516S02-T1C-A | |
| 관련 링크 | NE3516S02, NE3516S02-T1C-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
NE3516S02-T1C-A 의 관련 제품
 | ASTMUPCE-33-100.000MHZ-LJ-E-T3 | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-100.000MHZ-LJ-E-T3.pdf | |
 | ST16C550CQ48-F | ST16C550CQ48-F EXAR TQFP | ST16C550CQ48-F.pdf | |
| R3111N111A-TR | R3111N111A-TR Ricoh SMD or Through Hole | R3111N111A-TR.pdf | |
| SM4256-15JDS | SM4256-15JDS TIS Call | SM4256-15JDS.pdf | |
| DSP56321FC20 | DSP56321FC20 MOTOROLA BGA | DSP56321FC20.pdf | |
| MCP6V02T-E/SN | MCP6V02T-E/SN MICROCHIP SOIC-8-TR | MCP6V02T-E/SN.pdf | |
| IDT32H6521H-CM | IDT32H6521H-CM IDT SMD or Through Hole | IDT32H6521H-CM.pdf | |
| NSBC123JDXV6T5 | NSBC123JDXV6T5 ON SOT563 | NSBC123JDXV6T5.pdf | |
| MB90488B-230 | MB90488B-230 FUJ QFP | MB90488B-230.pdf | |
| MNR12EOABJ220 | MNR12EOABJ220 ROHM SMD or Through Hole | MNR12EOABJ220.pdf |