창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE3512S02-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE3512S02 RF Wireless Brochure | |
| 카탈로그 페이지 | 541 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | HFET | |
| 주파수 | 12GHz | |
| 이득 | 13.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 2V | |
| 정격 전류 | 70mA | |
| 잡음 지수 | 0.35dB | |
| 전류 - 테스트 | 10mA | |
| 전력 - 출력 | - | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | S02 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | NE3512S02A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE3512S02-A | |
| 관련 링크 | NE3512, NE3512S02-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
![]() | 08053A201GAT2A | 200pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A201GAT2A.pdf | |
![]() | GRM0337U1E910GD01D | 91pF 25V 세라믹 커패시터 U2J 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0337U1E910GD01D.pdf | |
![]() | 2027-09-BT1LF | GDT 90V 20% 10KA THROUGH HOLE | 2027-09-BT1LF.pdf | |
![]() | BDT66C | BDT66C ST TO-220 | BDT66C.pdf | |
![]() | AWH26A-0232-T-R | AWH26A-0232-T-R ORIGINAL SMD or Through Hole | AWH26A-0232-T-R.pdf | |
![]() | KX15-40K3D-E1000E | KX15-40K3D-E1000E JAE SMD or Through Hole | KX15-40K3D-E1000E.pdf | |
![]() | MT29C1G12MAADYAMD5 | MT29C1G12MAADYAMD5 MICRON SMD or Through Hole | MT29C1G12MAADYAMD5.pdf | |
![]() | MAT36-TX | MAT36-TX ORIGINAL 1210 | MAT36-TX.pdf | |
![]() | V-IR-30CPQ100PBF(BULK) | V-IR-30CPQ100PBF(BULK) IR SMD or Through Hole | V-IR-30CPQ100PBF(BULK).pdf | |
![]() | PH8230E+J3710 | PH8230E+J3710 PHILIPS TO-253 | PH8230E+J3710.pdf | |
![]() | MIE-544A4 | MIE-544A4 UNI SMD or Through Hole | MIE-544A4.pdf | |
![]() | IRF46ER103K | IRF46ER103K VISHAY DIP | IRF46ER103K.pdf |