창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE3508M04-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE3508M04 RF Wireless Brochure | |
PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 08/Jan/2016 | |
카탈로그 페이지 | 541 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | HFET | |
주파수 | 2GHz | |
이득 | 14dB | |
전압 - 테스트 | 2V | |
정격 전류 | 120mA | |
잡음 지수 | 0.45dB | |
전류 - 테스트 | 10mA | |
전력 - 출력 | 18dBm | |
전압 - 정격 | 4V | |
패키지/케이스 | SOT-343F | |
공급 장치 패키지 | F4TSMM, M04 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | NE3508M04A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE3508M04-A | |
관련 링크 | NE3508, NE3508M04-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
![]() | RT0603DRD07910RL | RES SMD 910 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07910RL.pdf | |
![]() | Y002210R0000A9L | RES 10 OHM 1W 0.05% RADIAL | Y002210R0000A9L.pdf | |
![]() | c70210m0089024 | c70210m0089024 amphenol SMD or Through Hole | c70210m0089024.pdf | |
![]() | M48Z512A-70PM9 | M48Z512A-70PM9 ST/ DIP32 | M48Z512A-70PM9.pdf | |
![]() | SKHV10910 | SKHV10910 LG SMD or Through Hole | SKHV10910.pdf | |
![]() | CAT3606EVAL1 | CAT3606EVAL1 CatalystSemicondu SMD or Through Hole | CAT3606EVAL1.pdf | |
![]() | H5N5012P | H5N5012P HITACHI/RENESAS TO-3P | H5N5012P.pdf | |
![]() | XCF02S | XCF02S X TSOP20 | XCF02S.pdf | |
![]() | 2AC5BM-16.000 | 2AC5BM-16.000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2AC5BM-16.000.pdf | |
![]() | ECWU1C474JB9 | ECWU1C474JB9 ORIGINAL SMD or Through Hole | ECWU1C474JB9.pdf | |
![]() | MSM6025(CP90-V7070-3) | MSM6025(CP90-V7070-3) QUALCOMM BGA | MSM6025(CP90-V7070-3).pdf |