창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDT452AP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDT452AP MA04A Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 690pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | NDT452APTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDT452AP | |
| 관련 링크 | NDT4, NDT452AP 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 60CPF06. | 60CPF06. IR TO-247 | 60CPF06..pdf | |
![]() | 27-030155002100 | 27-030155002100 NXP TQFP100 | 27-030155002100.pdf | |
![]() | TMDSDSK5509 | TMDSDSK5509 TexasInstruments SMD or Through Hole | TMDSDSK5509.pdf | |
![]() | 646FY-221K=P3 | 646FY-221K=P3 TOKO SMD or Through Hole | 646FY-221K=P3.pdf | |
![]() | F3341ADC | F3341ADC F DIP-16 | F3341ADC.pdf | |
![]() | RFP2P10 | RFP2P10 intersil/FSC TO-220 | RFP2P10.pdf | |
![]() | R50A-3 | R50A-3 Cosel SMD or Through Hole | R50A-3.pdf | |
![]() | D12-560 | D12-560 ROEDERSTEIN SMD or Through Hole | D12-560.pdf | |
![]() | LB1700 | LB1700 LG SMD or Through Hole | LB1700.pdf | |
![]() | TPCS8302TE12L | TPCS8302TE12L TOSHIBA SMD or Through Hole | TPCS8302TE12L.pdf | |
![]() | MAX3243EEUPTR-LF | MAX3243EEUPTR-LF XR SMD or Through Hole | MAX3243EEUPTR-LF.pdf | |
![]() | FU-67TZ | FU-67TZ keyence SMD or Through Hole | FU-67TZ.pdf |