창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS355AN | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDS355AN Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 1.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 195pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NDS355ANTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDS355AN | |
관련 링크 | NDS3, NDS355AN 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RJK0354DSP-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP | RJK0354DSP-00#J0.pdf | |
![]() | Y0062169R190V0L | RES 169.19 OHM 0.6W 0.005% RAD | Y0062169R190V0L.pdf | |
![]() | LY6164DL-15E | LY6164DL-15E NEC NULL | LY6164DL-15E.pdf | |
![]() | PMMA2631W | PMMA2631W FREESCALE QFN | PMMA2631W.pdf | |
![]() | M30622M4A-509GP | M30622M4A-509GP ORIGINAL SMD or Through Hole | M30622M4A-509GP.pdf | |
![]() | EP2A25F67218 | EP2A25F67218 ALTERA BGA | EP2A25F67218.pdf | |
![]() | PM-8101 | PM-8101 HOLE SMD or Through Hole | PM-8101.pdf | |
![]() | L1A5983 | L1A5983 LSI PLCC84 | L1A5983.pdf | |
![]() | RM12JT151 | RM12JT151 TAI-TECH SMD or Through Hole | RM12JT151.pdf | |
![]() | 90152-2140 | 90152-2140 MOLEX NA | 90152-2140.pdf | |
![]() | HE012D(L) | HE012D(L) TAIMAG DIP16 | HE012D(L).pdf | |
![]() | SF12DP-M1-4 | SF12DP-M1-4 TOSHIBA MODULE | SF12DP-M1-4.pdf |