창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDS355AN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDS355AN Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 195pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NDS355ANTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDS355AN | |
| 관련 링크 | NDS3, NDS355AN 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CPF0402B10K5E1 | RES SMD 10.5KOHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B10K5E1.pdf | |
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![]() | BLB2334CS | BLB2334CS ORIGINAL SMD or Through Hole | BLB2334CS.pdf | |
![]() | SN74AS257NS | SN74AS257NS TI SOP-16 | SN74AS257NS.pdf | |
![]() | 970-T-DS/03 | 970-T-DS/03 WECO CALL | 970-T-DS/03.pdf | |
![]() | 6013-60 | 6013-60 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6013-60.pdf | |
![]() | D38999/26WJ20SN | D38999/26WJ20SN HD SMD or Through Hole | D38999/26WJ20SN.pdf | |
![]() | NTED3154NT1G | NTED3154NT1G ON SMD or Through Hole | NTED3154NT1G.pdf |