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Fairchild Semiconductor NDS351N

NDS351N
제조업체 부품 번호
NDS351N
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
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내부 부품 번호EIS-NDS351N
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NDS351N
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
PCN 설계/사양Mold Compound 08/April/2008
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.1A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs160m옴 @ 1.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.5nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds140pF @ 10V
전력 - 최대460mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SuperSOT-3
표준 포장 3,000
다른 이름NDS351NTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NDS351N
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