창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS332P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDS332P Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 1.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 195pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NDS332PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDS332P | |
관련 링크 | NDS3, NDS332P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
RT1210CRE0711R8L | RES SMD 11.8 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0711R8L.pdf | ||
EFR32BG1P232F256GM32-C0R | BLUE GECKO PREMIUM | EFR32BG1P232F256GM32-C0R.pdf | ||
FC05-150K-RC | FC05-150K-RC ALLIEDInductors SMD or Through Hole | FC05-150K-RC.pdf | ||
AM2319P-T1 | AM2319P-T1 FAIRCHILD SOT-23 | AM2319P-T1.pdf | ||
T491D686K02 | T491D686K02 ORIGINAL SMD or Through Hole | T491D686K02.pdf | ||
MC54HC595J | MC54HC595J MOTOROLA CDIP | MC54HC595J.pdf | ||
74HC245DTR2 | 74HC245DTR2 ON TSSOP-20 | 74HC245DTR2.pdf | ||
1400484-10 | 1400484-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1400484-10.pdf | ||
HC2E-H-DC12V-VDE | HC2E-H-DC12V-VDE MAXIM PLCC | HC2E-H-DC12V-VDE.pdf | ||
TA8190F | TA8190F TOS QFP | TA8190F.pdf | ||
ISL83387EIV | ISL83387EIV Inter TSSOP24 | ISL83387EIV.pdf | ||
AXK6F36547YG | AXK6F36547YG nais SMD or Through Hole | AXK6F36547YG.pdf |