창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDP6020P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDP6020P, NDB6020P TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1590pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDP6020P | |
| 관련 링크 | NDP6, NDP6020P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1005X7R1H153K050BB | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X7R1H153K050BB.pdf | |
![]() | VJ0603D2R4BLCAJ | 2.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4BLCAJ.pdf | |
![]() | A70PF1150260-J | A70PF1150260-J KEMET Axial | A70PF1150260-J.pdf | |
![]() | LFE2-12E5FN256C | LFE2-12E5FN256C LATTICE BGA | LFE2-12E5FN256C.pdf | |
![]() | 4.7UF+-20%6.3WV | 4.7UF+-20%6.3WV NEC SMD or Through Hole | 4.7UF+-20%6.3WV.pdf | |
![]() | ST1000C24K0L | ST1000C24K0L IR SMD or Through Hole | ST1000C24K0L.pdf | |
![]() | MCO162-16I01 | MCO162-16I01 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCO162-16I01.pdf | |
![]() | I111520 | I111520 ALCATEL BGA-100D | I111520.pdf | |
![]() | S29130AFJTB | S29130AFJTB SEIKO SMD or Through Hole | S29130AFJTB.pdf |