창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDP6020P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDP6020P, NDB6020P TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1590pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDP6020P | |
| 관련 링크 | NDP6, NDP6020P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | C340C154K2R5CA | 0.15µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.400" L x 0.150" W(10.16mm x 3.81mm) | C340C154K2R5CA.pdf | |
![]() | GRM2166T1H120JD01D | 12pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H120JD01D.pdf | |
![]() | RUEF500K-AP | POLYSWITCH PTC RESET 5A AMMO | RUEF500K-AP.pdf | |
![]() | RCP2512B30R0JEC | RES SMD 30 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B30R0JEC.pdf | |
![]() | 2SC5585 F TL | 2SC5585 F TL ROHM SMD or Through Hole | 2SC5585 F TL.pdf | |
![]() | EM4DLP-100L-LF-T73 | EM4DLP-100L-LF-T73 PROTEK SMD or Through Hole | EM4DLP-100L-LF-T73.pdf | |
![]() | BT136S-600R | BT136S-600R NXP TO-252 | BT136S-600R.pdf | |
![]() | 238161535104 | 238161535104 VISHAY SMD or Through Hole | 238161535104.pdf | |
![]() | NCP3335A500R-F | NCP3335A500R-F ORIGINAL SMD or Through Hole | NCP3335A500R-F.pdf | |
![]() | 530843-7 | 530843-7 AMP con | 530843-7.pdf | |
![]() | SBP13009K | SBP13009K WINSEMI TO-220 | SBP13009K.pdf |