창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDP6020P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDP6020P, NDB6020P TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1590pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDP6020P | |
| 관련 링크 | NDP6, NDP6020P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| DEHR33D391KA3B | 390pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | DEHR33D391KA3B.pdf | ||
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![]() | FI-JH30S-HF10 | FI-JH30S-HF10 JAE 3KR | FI-JH30S-HF10.pdf | |
![]() | CT4A470MF6 | CT4A470MF6 CYNTECSUSUMU CT4A-470-MF 5KP | CT4A470MF6.pdf | |
![]() | DA831 | DA831 DA SOT23-6 | DA831.pdf | |
![]() | MBI6652GST/GMS | MBI6652GST/GMS MBI SOT23-6MSOP8 | MBI6652GST/GMS.pdf | |
![]() | ABN4F-B | ABN4F-B ORIGINAL SMD or Through Hole | ABN4F-B.pdf | |
![]() | 5W390R | 5W390R TY SMD or Through Hole | 5W390R.pdf | |
![]() | 1618387-5 | 1618387-5 TYCO SMD or Through Hole | 1618387-5.pdf |