창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDF11N50ZH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDF11N50Z | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | NDF11N50ZH-ND NDF11N50ZHOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDF11N50ZH | |
관련 링크 | NDF11N, NDF11N50ZH 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM0335C1E6R9CA01D | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E6R9CA01D.pdf | ||
VJ1808A561JBCAT4X | 560pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A561JBCAT4X.pdf | ||
416F26011CDT | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26011CDT.pdf | ||
TNPU080576K8BZEN00 | RES SMD 76.8K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU080576K8BZEN00.pdf | ||
BFY68 | BFY68 MOT CAN | BFY68.pdf | ||
AP0431 | AP0431 CHIPOWN SMD or Through Hole | AP0431.pdf | ||
MCF52100CAE66 | MCF52100CAE66 FreescaleSemiconduct SMD or Through Hole | MCF52100CAE66.pdf | ||
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009FB | 009FB NO 7 TO263 | 009FB.pdf | ||
N74F280BD | N74F280BD PHI SOP3.9 | N74F280BD.pdf | ||
03640-100A379-1 | 03640-100A379-1 TI SOP | 03640-100A379-1.pdf |