창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDF11N50ZG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ND(F,P)11N50Z | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | NDF11N50ZG-ND NDF11N50ZGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDF11N50ZG | |
| 관련 링크 | NDF11N, NDF11N50ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385439085JKP2T0 | 0.39µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP385439085JKP2T0.pdf | |
![]() | 4922R-39L | 1.5mH Unshielded Wirewound Inductor 178mA 12.5 Ohm Max Nonstandard | 4922R-39L.pdf | |
![]() | RT1210CRB0710K2L | RES SMD 10.2KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB0710K2L.pdf | |
![]() | CRCW08054R30FKEC | RES SMD 4.3 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054R30FKEC.pdf | |
![]() | LCB120CP | LCB120CP CLARE DIP6 | LCB120CP.pdf | |
![]() | CXD8185AQ | CXD8185AQ SONY QFP100 | CXD8185AQ.pdf | |
![]() | BUZ32L3045A | BUZ32L3045A Infineon TO263-3 | BUZ32L3045A.pdf | |
![]() | CH25-0014-20N | CH25-0014-20N M/A-COM SMD or Through Hole | CH25-0014-20N.pdf | |
![]() | 220100405629 | 220100405629 YAGEO SMD | 220100405629.pdf | |
![]() | MBM29LV160BE-90PBT | MBM29LV160BE-90PBT FUJI FBGA | MBM29LV160BE-90PBT.pdf | |
![]() | C0603C100M4GAC | C0603C100M4GAC KEMET SMD or Through Hole | C0603C100M4GAC.pdf |