창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDF10N60ZG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDx10N60ZG,H | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | NDF10N60ZG-ND NDF10N60ZGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDF10N60ZG | |
관련 링크 | NDF10N, NDF10N60ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | CBR02C159C9GAC | 1.5pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C159C9GAC.pdf | |
![]() | MKP383268200JF02W0 | 6800pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383268200JF02W0.pdf | |
![]() | 1210-273K | 27µH Unshielded Inductor 193mA 5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-273K.pdf | |
![]() | AM85C8-8JC | AM85C8-8JC AMD PLCC | AM85C8-8JC.pdf | |
![]() | LTV-817S-C-TA | LTV-817S-C-TA LITE-ON SMD or Through Hole | LTV-817S-C-TA.pdf | |
![]() | G6B-2214P-FD-US-AP 24VDC | G6B-2214P-FD-US-AP 24VDC OMRON SMD or Through Hole | G6B-2214P-FD-US-AP 24VDC.pdf | |
![]() | CEPT-U/B5805-456 | CEPT-U/B5805-456 SUNGMI SMD or Through Hole | CEPT-U/B5805-456.pdf | |
![]() | TLP112TPL | TLP112TPL tosh SMD or Through Hole | TLP112TPL.pdf | |
![]() | SPX1202AT | SPX1202AT SIPEX TO-263 | SPX1202AT.pdf | |
![]() | TSM600 | TSM600 TYCO/Rayc SMD | TSM600.pdf |