창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDF08N60ZG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ND(F,P)08N60Z | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | NDF08N60ZG-ND NDF08N60ZGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDF08N60ZG | |
| 관련 링크 | NDF08N, NDF08N60ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | Y000724R0000Q9L | RES 24 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y000724R0000Q9L.pdf | |
![]() | SC414369ZP50C1 | SC414369ZP50C1 MOT SMD or Through Hole | SC414369ZP50C1.pdf | |
![]() | ICS9LPR325CKLF | ICS9LPR325CKLF ICS QFN | ICS9LPR325CKLF.pdf | |
![]() | U2507AFPG3 | U2507AFPG3 tfk SMD or Through Hole | U2507AFPG3.pdf | |
![]() | SAB 80186-N | SAB 80186-N SIEMENS PLCC | SAB 80186-N.pdf | |
![]() | TLP3012GB | TLP3012GB TOSHIBA DIP-6 | TLP3012GB.pdf | |
![]() | VJ1812Y682KXEAT | VJ1812Y682KXEAT VISHAY SMD | VJ1812Y682KXEAT.pdf | |
![]() | S05KD082 | S05KD082 ORIGINAL SMD or Through Hole | S05KD082.pdf | |
![]() | HZM5.6N | HZM5.6N RENESAS SOT-23 | HZM5.6N.pdf | |
![]() | TC7WZ04FU TE12L.F | TC7WZ04FU TE12L.F TOSHIBA MSOP8 | TC7WZ04FU TE12L.F.pdf | |
![]() | IH0245SG | IH0245SG ORIGINAL SOP-8 | IH0245SG.pdf | |
![]() | C2301 | C2301 ORIGINAL TO-3P | C2301.pdf |