창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDF06N60ZG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDx06N60ZG | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1107pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | NDF06N60ZG-ND NDF06N60ZGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDF06N60ZG | |
| 관련 링크 | NDF06N, NDF06N60ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GL41J-E3/96 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | GL41J-E3/96.pdf | |
![]() | MB8266A-12 | MB8266A-12 F DIP | MB8266A-12.pdf | |
![]() | 7656TAA | 7656TAA ORIGINAL SMD or Through Hole | 7656TAA.pdf | |
![]() | B41303B8478M | B41303B8478M TDK-EPC SMD or Through Hole | B41303B8478M.pdf | |
![]() | ADC5380ACPZ | ADC5380ACPZ ADI DIP | ADC5380ACPZ.pdf | |
![]() | U6209-FFPIX1962G3 | U6209-FFPIX1962G3 TEMIC SMD | U6209-FFPIX1962G3.pdf | |
![]() | MVR21HXBREN503 | MVR21HXBREN503 ROHM 2X2 | MVR21HXBREN503.pdf | |
![]() | MBR10100G-ON | MBR10100G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MBR10100G-ON.pdf | |
![]() | MMT1H225JF | MMT1H225JF ORIGINAL SMD or Through Hole | MMT1H225JF.pdf | |
![]() | TPS73025DBVRG4 TEL:82766440 | TPS73025DBVRG4 TEL:82766440 TI SMD or Through Hole | TPS73025DBVRG4 TEL:82766440.pdf | |
![]() | C5488 | C5488 ORIGINAL TO-92 | C5488.pdf | |
![]() | G1A060000 | G1A060000 ORIGINAL SMD or Through Hole | G1A060000.pdf |