창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDF05N50ZG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDF,NDP,NDD05N50Z | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 632pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | NDF05N50ZG-ND NDF05N50ZGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDF05N50ZG | |
관련 링크 | NDF05N, NDF05N50ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
AT-5.000MAGE-T | 5MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-5.000MAGE-T.pdf | ||
BTB08600CP | BTB08600CP ST ZTP3 | BTB08600CP.pdf | ||
VP22288ED-01 | VP22288ED-01 PHL BGA | VP22288ED-01.pdf | ||
D70008AL-8 | D70008AL-8 NEC PLCC | D70008AL-8.pdf | ||
D55342K07B820GM | D55342K07B820GM IRCINCADVFILM SMD DIP | D55342K07B820GM.pdf | ||
25020N.sc | 25020N.sc ATMEL SOP | 25020N.sc.pdf | ||
CDH124-33UH | CDH124-33UH CEAIYA SMD or Through Hole | CDH124-33UH.pdf | ||
600F2R7BT200T | 600F2R7BT200T ATC SMD | 600F2R7BT200T.pdf | ||
CI201209-R15M | CI201209-R15M LION 0805Inductor0.15uH | CI201209-R15M.pdf | ||
HN62314BPE95 | HN62314BPE95 OKI/HIT DIP-32 | HN62314BPE95.pdf | ||
S3P5744XZZ-AMB4 | S3P5744XZZ-AMB4 SAMSUNG DIP | S3P5744XZZ-AMB4.pdf |