창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDD04N60Z-1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDx04N60Z | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | NDD04N60Z-1G-ND NDD04N60Z-1GOS NDD04N60Z1G | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDD04N60Z-1G | |
관련 링크 | NDD04N6, NDD04N60Z-1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC246752683 | 0.068µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC246752683.pdf | ||
LVSP0020TX2 | FUSE CARTRIDGE 20A 600VAC 5AG | LVSP0020TX2.pdf | ||
9B25000568 | 25MHz ±30ppm 수정 20pF -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | 9B25000568.pdf | ||
FST153100 | DIODE MODULE 100V 75A TO249 | FST153100.pdf | ||
TL317CDR(PBFREE) | TL317CDR(PBFREE) TI T RS083.9MM | TL317CDR(PBFREE).pdf | ||
LM2512ASMX | LM2512ASMX NS UFBGA49 | LM2512ASMX.pdf | ||
NPR1TE | NPR1TE KOA SMD or Through Hole | NPR1TE.pdf | ||
TYLD-5 | TYLD-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | TYLD-5.pdf | ||
R1122N281B-TR-FA | R1122N281B-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R1122N281B-TR-FA.pdf | ||
UCC3915BDW | UCC3915BDW UNI SOP | UCC3915BDW.pdf | ||
TEMSVB20G226M | TEMSVB20G226M NEC 4V22B | TEMSVB20G226M.pdf |