창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDD03N80Z-1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDD03N80Z | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDD03N80Z-1G | |
관련 링크 | NDD03N8, NDD03N80Z-1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
PT50R-1020-VM | 50µH Unshielded Toroidal Inductor 7A 25 mOhm Max Radial | PT50R-1020-VM.pdf | ||
P160R-153JS | 15µH Unshielded Inductor 419mA 700 mOhm Max Nonstandard | P160R-153JS.pdf | ||
CA1206NP05K220P | CA1206NP05K220P CCT 0603 4 | CA1206NP05K220P.pdf | ||
CMS4A16LAH-75E1 | CMS4A16LAH-75E1 NO BGA | CMS4A16LAH-75E1.pdf | ||
RB551V30FJTE-17 | RB551V30FJTE-17 ROHM SMD or Through Hole | RB551V30FJTE-17.pdf | ||
KA3055 | KA3055 KA SMD or Through Hole | KA3055.pdf | ||
CCR30.00MC6T | CCR30.00MC6T KDS SMD-DIP | CCR30.00MC6T.pdf | ||
R5F35L36JFF | R5F35L36JFF Renesas SMD or Through Hole | R5F35L36JFF.pdf | ||
228281235216 | 228281235216 VISHAYBCCOMPONENTS Original Package | 228281235216.pdf | ||
PIC18F8520T-I/PT | PIC18F8520T-I/PT MICROCHIP SOP | PIC18F8520T-I/PT.pdf | ||
DTC115TM T2L | DTC115TM T2L ROHM VMT3 | DTC115TM T2L.pdf | ||
BU-61585S3-190 | BU-61585S3-190 DDC DIP | BU-61585S3-190.pdf |