창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDD03N80Z-1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDD03N80Z | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDD03N80Z-1G | |
관련 링크 | NDD03N8, NDD03N80Z-1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SD18-150-R | 15µH Shielded Wirewound Inductor 1.06A 227.8 mOhm Nonstandard | SD18-150-R.pdf | |
![]() | LSI808N221K302NXT | LSI808N221K302NXT NOVACAP SMD or Through Hole | LSI808N221K302NXT.pdf | |
![]() | 52432-1 | 52432-1 TYCO SMD or Through Hole | 52432-1.pdf | |
![]() | MAX9679ETG+ | MAX9679ETG+ MAXIM QFN | MAX9679ETG+.pdf | |
![]() | LT1761ES5-5V | LT1761ES5-5V LT SOT | LT1761ES5-5V.pdf | |
![]() | NRA1V154MR8 | NRA1V154MR8 NEC SMD or Through Hole | NRA1V154MR8.pdf | |
![]() | LM1875 T | LM1875 T NS DIP | LM1875 T.pdf | |
![]() | TMK063BJ221MP-F | TMK063BJ221MP-F TAIYO SMD | TMK063BJ221MP-F.pdf | |
![]() | MF0207FTE52-51R | MF0207FTE52-51R YGO SMD or Through Hole | MF0207FTE52-51R.pdf | |
![]() | AD7564BRTR | AD7564BRTR ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | AD7564BRTR.pdf | |
![]() | LQH3N5R6K04MOO | LQH3N5R6K04MOO MURATA SMD | LQH3N5R6K04MOO.pdf |