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ON Semiconductor NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G
제조업체 부품 번호
NDD02N60Z-1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V IPAK
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NDD02N60Z-1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NDD02N60Z-1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NDx02N60Z
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.8옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10.1nC @(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds274pF @ 25V
전력 - 최대57W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 75
다른 이름NDD02N60Z-1G-ND
NDD02N60Z-1GOS
NDD02N60Z1G
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NDD02N60Z-1G
관련 링크NDD02N6, NDD02N60Z-1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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