창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDB5060L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDP5060L, NDB5060L | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 840pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NDB5060L-ND NDB5060LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDB5060L | |
| 관련 링크 | NDB5, NDB5060L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 607DCR2R3SVB | 600F Supercap 2.3V Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 70°C 1.181" Dia (30.00mm) | 607DCR2R3SVB.pdf | |
![]() | CRCW060330R0JNEB | RES SMD 30 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060330R0JNEB.pdf | |
![]() | LH0021 | LH0021 NS SMD or Through Hole | LH0021.pdf | |
![]() | PCI6520CB13BI | PCI6520CB13BI PLX BGA | PCI6520CB13BI.pdf | |
![]() | SMBT5087E6327 | SMBT5087E6327 SIEMENS SOT23 | SMBT5087E6327.pdf | |
![]() | PNX4903ET/1 | PNX4903ET/1 NXP BGA | PNX4903ET/1.pdf | |
![]() | CG2220X335M101T | CG2220X335M101T HEC 2220-335M | CG2220X335M101T.pdf | |
![]() | SN74500N | SN74500N TEXAS DIP-14L | SN74500N.pdf | |
![]() | IDT71V65603S133BQI | IDT71V65603S133BQI IntegratedDeviceTechnology SMD or Through Hole | IDT71V65603S133BQI.pdf | |
![]() | PLS21D0800CLXXA | PLS21D0800CLXXA ORIGINAL SMD or Through Hole | PLS21D0800CLXXA.pdf | |
![]() | SOQ-1528BJTT | SOQ-1528BJTT ORIGINAL SMD or Through Hole | SOQ-1528BJTT.pdf |