ON Semiconductor NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G
제조업체 부품 번호
NCV1413BDR2G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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NCV1413BDR2G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NCV1413BDR2G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MC1413(B), NCV1413B
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형7 NPN 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
전력 - 최대-
주파수 - 트랜지션-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지16-SOIC
표준 포장 2,500
다른 이름NCV1413BDR2GOS
NCV1413BDR2GOS-ND
NCV1413BDR2GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NCV1413BDR2G
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