창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NC103 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NC103 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NC103 | |
| 관련 링크 | NC1, NC103 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1822368255G | 0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.512" L x 0.177" W (13.00mm x 4.50mm) | MKT1822368255G.pdf | |
![]() | MPLAD15KP7.0CA | TVS DIODE 7VWM 12VC PLAD | MPLAD15KP7.0CA.pdf | |
![]() | SIT9122AI-2CF-33E270.000000Y | OSC XO 3.3V 270MHZ | SIT9122AI-2CF-33E270.000000Y.pdf | |
![]() | RCP0603B910RGWB | RES SMD 910 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B910RGWB.pdf | |
![]() | 20082 | 20082 ERICSSON SMD or Through Hole | 20082.pdf | |
![]() | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G HYNIX FBGA60 | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G.pdf | |
![]() | MSDRI-8D28-4R7N | MSDRI-8D28-4R7N ORIGINAL 8D28 | MSDRI-8D28-4R7N.pdf | |
![]() | TC9361-CEF | TC9361-CEF TOS QFP | TC9361-CEF.pdf | |
![]() | REB1217150/68 | REB1217150/68 MAJOR SMD or Through Hole | REB1217150/68.pdf | |
![]() | NF570-SLI-N-A2 | NF570-SLI-N-A2 NVIDIA BGA | NF570-SLI-N-A2.pdf | |
![]() | TS3702CDR | TS3702CDR TI SOP-8 | TS3702CDR.pdf | |
![]() | CRL1206-JW-R056ELF | CRL1206-JW-R056ELF FUJIELECTRIC SMD or Through Hole | CRL1206-JW-R056ELF.pdf |