창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NBPDPNN160MGUNV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NBP Series Datasheet TBP, NBP Series Install Instr NBP Series DataSheet TBP, NBP Series Appl Note | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 압력 센서, 트랜스듀서 | |
| 제조업체 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | |
| 계열 | NBP | |
| 부품 현황 | * | |
| 압력 유형 | 통기 게이지 | |
| 작동 압력 | 2.32 PSI(16 kPa) | |
| 출력 유형 | 휘트스톤 브리지 | |
| 출력 | 0 mV ~ 75.5 mV(5V) | |
| 정확도 | ±0.25% | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 12 V | |
| 포트 크기 | - | |
| 포트 유형 | 포트 없음 | |
| 특징 | - | |
| 종단 유형 | PC 핀 | |
| 최대 압력 | 12.33 PSI(85 kPa) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.453", 11.50mm), 상단 포트 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NBPDPNN160MGUNV | |
| 관련 링크 | NBPDPNN16, NBPDPNN160MGUNV 데이터 시트, Honeywell Sensing and Productivity Solutions 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1101BI1-012.5000 | 12.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101BI1-012.5000.pdf | |
![]() | SIL7160CTU | SIL7160CTU SILICN QFP | SIL7160CTU.pdf | |
![]() | S-80842ALY | S-80842ALY SEIKO TO-92 | S-80842ALY.pdf | |
![]() | S3F80JBBST-QZ8B1 | S3F80JBBST-QZ8B1 SAMSUNG QFP | S3F80JBBST-QZ8B1.pdf | |
![]() | GT13 | GT13 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT13.pdf | |
![]() | 3SMC22A | 3SMC22A Centralsemi SMC | 3SMC22A.pdf | |
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![]() | PTM2101RP216B01 | PTM2101RP216B01 TKS SMD or Through Hole | PTM2101RP216B01.pdf | |
![]() | SR202A102JAATR1 | SR202A102JAATR1 AVX DIP | SR202A102JAATR1.pdf | |
![]() | BCR92W | BCR92W INFINEON SMD | BCR92W.pdf | |
![]() | UFA2412D-10W | UFA2412D-10W MORNSUN DIP | UFA2412D-10W.pdf | |
![]() | NRD476M10R12 | NRD476M10R12 NECELECTRONICS SMD or Through Hole | NRD476M10R12.pdf |