창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NANO16X16DDR2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NANO16X16DDR2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NANO16X16DDR2 | |
관련 링크 | NANO16X, NANO16X16DDR2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
0278.400V | FUSE BOARD MNT 400MA 125VAC/VDC | 0278.400V.pdf | ||
SI1539DL-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | SI1539DL-T1-E3.pdf | ||
IDCP3916ER221M | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 720 mOhm Max Nonstandard | IDCP3916ER221M.pdf | ||
HMC481ST89ETR | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 5GHz SOT-89 | HMC481ST89ETR.pdf | ||
DP12SVN24A20F | DP12S VER 24P NDET 20F B 5MM | DP12SVN24A20F.pdf | ||
LT3663EMS8E#PBF | LT3663EMS8E#PBF LT MSOP-8 | LT3663EMS8E#PBF.pdf | ||
T6TN4TBG-0101 | T6TN4TBG-0101 TOSHIBA QFP | T6TN4TBG-0101.pdf | ||
5-338168-2 | 5-338168-2 Tyco SMD or Through Hole | 5-338168-2.pdf | ||
CDRH103R-47UH | CDRH103R-47UH HZ SMD or Through Hole | CDRH103R-47UH.pdf | ||
C1608CB-43NJ(0603-43NH) | C1608CB-43NJ(0603-43NH) SAGAMI SMD or Through Hole | C1608CB-43NJ(0603-43NH).pdf | ||
Z8PE003SZ010S | Z8PE003SZ010S ZILOG SMD or Through Hole | Z8PE003SZ010S.pdf | ||
2MKFN | 2MKFN ORIGINAL SSOP-8 | 2MKFN.pdf |