창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NAND512R3A2B-ZA6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NAND512R3A2B-ZA6 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NAND512R3A2B-ZA6 | |
관련 링크 | NAND512R3, NAND512R3A2B-ZA6 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
C0805C332K1RACTU | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C332K1RACTU.pdf | ||
A471J20C0GL5TAA | 470pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.118" Dia x 0.197" L(3.00mm x 5.00mm) | A471J20C0GL5TAA.pdf | ||
VJ0805D560FLAAP | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D560FLAAP.pdf | ||
416F40612CLT | 40.61MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612CLT.pdf | ||
RN73C2A37K4BTDF | RES SMD 37.4KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A37K4BTDF.pdf | ||
S48SS3R303NRA | S48SS3R303NRA delta SMD or Through Hole | S48SS3R303NRA.pdf | ||
35164-0500 | 35164-0500 MOLEX SMD or Through Hole | 35164-0500.pdf | ||
K4M28163LH-BG1L | K4M28163LH-BG1L SAMSUNG BGA | K4M28163LH-BG1L.pdf | ||
AAT1106 | AAT1106 AAT SMD or Through Hole | AAT1106.pdf | ||
2065ST | 2065ST CTS/WSI SMD or Through Hole | 2065ST.pdf | ||
AT28C04E20DM/883 | AT28C04E20DM/883 ATMEL SMD or Through Hole | AT28C04E20DM/883.pdf | ||
TPS7350Q | TPS7350Q TI SOP8 | TPS7350Q.pdf |