창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NAND04GW3B2BE06-ST | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NAND04GW3B2BE06-ST | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NAND04GW3B2BE06-ST | |
| 관련 링크 | NAND04GW3B, NAND04GW3B2BE06-ST 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | URS2AR22MDD1TA | 0.22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URS2AR22MDD1TA.pdf | |
![]() | T110D107M020AS | 100µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 20V Axial 600 mOhm 0.351" Dia x 0.786" L (8.92mm x 19.96mm) | T110D107M020AS.pdf | |
![]() | 416F27013IDT | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013IDT.pdf | |
![]() | SS15-M3/61T | DIODE SCHOTTKY 1A 50V DO-214AC | SS15-M3/61T.pdf | |
![]() | SP1008R-683K | 68µH Shielded Wirewound Inductor 112mA 9 Ohm Max Nonstandard | SP1008R-683K.pdf | |
![]() | NKN3WSJR-73-4R7 | RES 4.7 OHM 3W 5% AXIAL | NKN3WSJR-73-4R7.pdf | |
![]() | WW7JB45K0 | RES 45K OHM 6.5W 5% AXIAL | WW7JB45K0.pdf | |
![]() | 699440TU | 699440TU FSC TO-220 | 699440TU.pdf | |
![]() | DC1R019JD1E400 | DC1R019JD1E400 JAE SMD or Through Hole | DC1R019JD1E400.pdf | |
![]() | MCP3221A3T-I/O | MCP3221A3T-I/O MICROCHI SOT23-5 | MCP3221A3T-I/O.pdf |