- N11M-GE-B-A2

N11M-GE-B-A2
제조업체 부품 번호
N11M-GE-B-A2
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 2
간단한 설명
N11M-GE-B-A2 NVIDIA BGA
데이터 시트 다운로드
다운로드
N11M-GE-B-A2 가격 및 조달

가능 수량

37360 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 N11M-GE-B-A2 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. N11M-GE-B-A2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. N11M-GE-B-A2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
N11M-GE-B-A2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
N11M-GE-B-A2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-N11M-GE-B-A2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈N11M-GE-B-A2
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류BGA
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) N11M-GE-B-A2
관련 링크N11M-GE, N11M-GE-B-A2 데이터 시트, - 에이전트 유통
N11M-GE-B-A2 의 관련 제품
9.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM1885C2A9R4DA01D.pdf
22µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) T491D226M025AS.pdf
RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 2.2GHz 6-TSSOP BGA2803,115.pdf
Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-750-A-Z-M12-20MA-000-000.pdf
ADOP27GN/+ ANA ORIGINAL ADOP27GN/+.pdf
MX7225KN+ PBF MAXIM DIP MX7225KN+ PBF.pdf
OZ8118LN Omicro QFN16 OZ8118LN.pdf
C19430 AMI DIP C19430.pdf
JPS1110-5001F Hosiden SMD or Through Hole JPS1110-5001F.pdf
MS-106075-5 ORIGINAL SMD or Through Hole MS-106075-5.pdf
2SJ553L-E RENESAS SMD or Through Hole 2SJ553L-E.pdf
24LC512/W16K MICROCHIP dip sop 24LC512/W16K.pdf