- N10M-GE-B-A3
N10M-GE-B-A3 가격 및 조달
가능 수량
55540 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 N10M-GE-B-A3 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. N10M-GE-B-A3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. N10M-GE-B-A3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- N10M-GE-B-A3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
N10M-GE-B-A3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-N10M-GE-B-A3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | N10M-GE-B-A3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | N10M-GE-B-A3 | |
| 관련 링크 | N10M-GE, N10M-GE-B-A3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
N10M-GE-B-A3 의 관련 제품
 | 08051A221KAT2 | 220pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A221KAT2.pdf | |
 | 416F37013IDT | 37MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37013IDT.pdf | |
,-0612.jpg) | PRG3216P-1800-B-T5 | RES SMD 180 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-1800-B-T5.pdf | |
 | 108283REVC | 108283REVC VLSI DIP | 108283REVC.pdf | |
| 1S1835(Q) | 1S1835(Q) AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1S1835(Q).pdf | |
| HD64F2328G10TEV | HD64F2328G10TEV RENESAS SMD or Through Hole | HD64F2328G10TEV.pdf | |
| CX24951-13P.20 | CX24951-13P.20 CONEXANT BGA | CX24951-13P.20.pdf | |
| SPT135-0R7L | SPT135-0R7L DELTA INDUCTOR | SPT135-0R7L.pdf | |
| OW-SS-112DM(C) | OW-SS-112DM(C) OEG SMD or Through Hole | OW-SS-112DM(C).pdf | |
| TMS717400ADJ60 | TMS717400ADJ60 TMS SOJ OB | TMS717400ADJ60.pdf | |
| LTV-227-E | LTV-227-E LITE-ON SOP8 | LTV-227-E.pdf | |
| 63MXG3300M22X35 | 63MXG3300M22X35 Rubycon DIP-2 | 63MXG3300M22X35.pdf |