창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURTA30020R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURTA30020 thru MURTA30040R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 150A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURTA30020R | |
| 관련 링크 | MURTA3, MURTA30020R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ELXS421VSN681MA50S | 680µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | ELXS421VSN681MA50S.pdf | |
![]() | NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1 | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1.pdf | |
![]() | 7M16070011 | 16MHz ±20ppm 수정 12pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M16070011.pdf | |
![]() | RCWE0612R110FNEA | RES SMD 0.11 OHM 1% 1W 0612 | RCWE0612R110FNEA.pdf | |
![]() | TNPW120697K6BEEA | RES SMD 97.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120697K6BEEA.pdf | |
![]() | TNPU1206324RBZEN00 | RES SMD 324 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206324RBZEN00.pdf | |
![]() | UA317K | UA317K FSC TO-3 | UA317K.pdf | |
![]() | RS1DB-TR | RS1DB-TR TSC DO214AA | RS1DB-TR .pdf | |
![]() | QBS150YJ-A | QBS150YJ-A POWER-ONE GTR | QBS150YJ-A.pdf | |
![]() | BHS-105-G-A | BHS-105-G-A SAMTEC ORIGINAL | BHS-105-G-A.pdf | |
![]() | 50V 430P | 50V 430P ORIGINAL SMD or Through Hole | 50V 430P.pdf | |
![]() | EAWJ500ELL102MM45S | EAWJ500ELL102MM45S NIPPON DIP | EAWJ500ELL102MM45S.pdf |