창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MURT40010 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MURT40005 thru 40020R Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 200A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 125ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MURT40010GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MURT40010 | |
관련 링크 | MURT4, MURT40010 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AMS1117-ADJ 1.2A | AMS1117-ADJ 1.2A ATMEL SOT-223 | AMS1117-ADJ 1.2A.pdf | |
![]() | GSE5/2/905.08 | GSE5/2/905.08 ORIGINAL SMD or Through Hole | GSE5/2/905.08.pdf | |
![]() | D11200220R5%P5 | D11200220R5%P5 VISHAYDRALORIC SMD or Through Hole | D11200220R5%P5.pdf | |
![]() | ICS1894KI-32LFT | ICS1894KI-32LFT IDTIntegratedDeviceTechnologyInc 32-VFQFPNExposedPa | ICS1894KI-32LFT.pdf | |
![]() | BS616LV8017FC-55 | BS616LV8017FC-55 BSI BGA-48 | BS616LV8017FC-55.pdf | |
![]() | HCTR0320P | HCTR0320P ORIGINAL DIP-28 | HCTR0320P.pdf | |
![]() | NN75001 | NN75001 ORIGINAL QFP | NN75001.pdf | |
![]() | ADMCF328BRZ | ADMCF328BRZ ADI SOP28 | ADMCF328BRZ.pdf | |
![]() | IL610A3 | IL610A3 NEV SOP-8 | IL610A3.pdf | |
![]() | NX1009DBIS1 | NX1009DBIS1 NEXUSCHIPS BGA | NX1009DBIS1.pdf |