창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURT20020 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURT20005 thru 20020R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MURT20020GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURT20020 | |
| 관련 링크 | MURT2, MURT20020 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 102S42E8R2CV4E | 8.2pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E8R2CV4E.pdf | |
![]() | MKP385156160JDA2B0 | 560pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385156160JDA2B0.pdf | |
![]() | TNPW2512105KBEEY | RES SMD 105K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512105KBEEY.pdf | |
![]() | RC12KB820K | RES 820K OHM 1/2W 10% AXIAL | RC12KB820K.pdf | |
![]() | R3064XL-10CS48C | R3064XL-10CS48C XILNIX BGA | R3064XL-10CS48C.pdf | |
![]() | VUB60-12 | VUB60-12 IXYS SMD or Through Hole | VUB60-12.pdf | |
![]() | NH4-0155 | NH4-0155 CANON DIP32 | NH4-0155.pdf | |
![]() | BOT10 | BOT10 ORIGINAL SMD or Through Hole | BOT10.pdf | |
![]() | RS03K183JT18KR | RS03K183JT18KR ORIGINAL SMD or Through Hole | RS03K183JT18KR.pdf | |
![]() | MS3456L12S-3SX | MS3456L12S-3SX Amphenol NA | MS3456L12S-3SX.pdf | |
![]() | K5G2829ATM-BT60 | K5G2829ATM-BT60 Samsung SMD or Through Hole | K5G2829ATM-BT60.pdf |