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GeneSiC Semiconductor MURT10060R

MURT10060R
제조업체 부품 번호
MURT10060R
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
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MURT10060R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MURT10060R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MURT10040 thru 10060R
Three Tower Pkg Drawing
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성-
다이오드 유형표준, 역극성
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)600V
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)100A(DC)
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.7V @ 100A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)75ns
전류 - 역누설 @ Vr25µA @ 50V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스3 타워형
공급 장치 패키지3 타워형
표준 포장 25
다른 이름MURT10060RGN
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MURT10060R
관련 링크MURT10, MURT10060R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
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