창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURHB840CTT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURHB840CT, SURHB8840CT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 4A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.2V @ 4A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 28ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | MURHB840CTT4G-ND MURHB840CTT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURHB840CTT4G | |
| 관련 링크 | MURHB84, MURHB840CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 5TTP 3-R | FUSE GLASS 3A 250VAC 5X20MM | 5TTP 3-R.pdf | |
![]() | CP0005430R0KE663 | RES 430 OHM 5W 10% AXIAL | CP0005430R0KE663.pdf | |
![]() | TMPR4955AFG-2008 | TMPR4955AFG-2008 TOSHIBA QFP | TMPR4955AFG-2008.pdf | |
![]() | C416C-2 | C416C-2 NEC DIP | C416C-2.pdf | |
![]() | TBP28S46N | TBP28S46N TI DIP | TBP28S46N.pdf | |
![]() | 88W8682U | 88W8682U ORIGINAL SMD or Through Hole | 88W8682U.pdf | |
![]() | N80C152JD- | N80C152JD- INTEL PLCC68 | N80C152JD-.pdf | |
![]() | S25FL002D0FMI001 | S25FL002D0FMI001 SPANSION SOP8-3.9 | S25FL002D0FMI001.pdf | |
![]() | CW02C10K00JE73 | CW02C10K00JE73 vishay SMD or Through Hole | CW02C10K00JE73.pdf | |
![]() | 1SS271 TEL:82766440 | 1SS271 TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS271 TEL:82766440.pdf | |
![]() | GL41108-45J3 | GL41108-45J3 GLINK SOJ | GL41108-45J3.pdf | |
![]() | XPC860DEZT | XPC860DEZT MOTOROLA BGA | XPC860DEZT.pdf |