창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURF40060R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURF40040 thru MURF40060R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 240ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | TO-244AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-244 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURF40060R | |
| 관련 링크 | MURF40, MURF40060R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-147.4-18-9 | 14.7456MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | ECS-147.4-18-9.pdf | |
![]() | ERA-1AEB4641C | RES SMD 4.64KOHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB4641C.pdf | |
![]() | UC1544L883B | UC1544L883B UNI UC1544L883B | UC1544L883B.pdf | |
![]() | BC847BW/1F | BC847BW/1F NXP SOT-23 | BC847BW/1F.pdf | |
![]() | MG300H1FK | MG300H1FK TOSHIBA SMD or Through Hole | MG300H1FK.pdf | |
![]() | 1812N152J20NT | 1812N152J20NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812N152J20NT.pdf | |
![]() | NCP1239VDR2 | NCP1239VDR2 ONSEMI SOIC-16N-VHVIC | NCP1239VDR2.pdf | |
![]() | 20B132A | 20B132A ORIGINAL SMD or Through Hole | 20B132A.pdf | |
![]() | EBJ21UE8BDS0-GN-F | EBJ21UE8BDS0-GN-F ELPIDA FBGA | EBJ21UE8BDS0-GN-F.pdf | |
![]() | 60J323H | 60J323H TOSHIBA TO-3PL | 60J323H.pdf | |
![]() | TLN105B(F) | TLN105B(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLN105B(F).pdf |