창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURB1660CTT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURB1660CT | |
| 카탈로그 페이지 | 1561 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 60ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | MURB1660CTT4GOS MURB1660CTT4GOS-ND MURB1660CTT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURB1660CTT4G | |
| 관련 링크 | MURB166, MURB1660CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D2R1DLBAP | 2.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1DLBAP.pdf | |
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![]() | 000T | 000T ORIGINAL QFN-4 | 000T.pdf | |
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![]() | ISPLSI1016-60LJ/PLSI1016-60LJ | ISPLSI1016-60LJ/PLSI1016-60LJ LATTICE PLCC | ISPLSI1016-60LJ/PLSI1016-60LJ.pdf | |
![]() | LM318N .. | LM318N .. NSC DIP8 | LM318N ...pdf | |
![]() | LMH6715MAXNOPB | LMH6715MAXNOPB NSC SMD or Through Hole | LMH6715MAXNOPB.pdf | |
![]() | SN74HC245AN | SN74HC245AN ti SMD or Through Hole | SN74HC245AN.pdf | |
![]() | 2SD1622T-TC | 2SD1622T-TC SANYO SOT-89 | 2SD1622T-TC.pdf |